东微半导:苏州东微半导体股份有限公司2025年半年度报告

公司代码：688261 公司简称：东微半导
苏州东微半导体股份有限公司
2025 年半年度报告

重要提示
一、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，敬请投资者注意投资风险。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人龚轶、主管会计工作负责人谢长勇及会计机构负责人（会计主管人员）谢长勇声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
无
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性陈述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十二、 其他
□适用 √不适用

目录

第一节 释义...... 4
第二节 公司简介和主要财务指标......7
第三节 管理层讨论与分析......10
第四节 公司治理、环境和社会......48
第五节 重要事项......50
第六节 股份变动及股东情况......83
第七节 债券相关情况......89
第八节 财务报告......90
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）
备查文件目录 签名并盖章的财务报表
报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及
公告的原稿

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
公司、本公司、股份公司、东微 苏州东微半导体股份有限公司，根据上下文，还包
半导、东微半导体、东微有限、 指 括其子和/或分公司
东微
苏州高维 指 苏州工业园区高维企业管理合伙企业（有限合伙）
得数聚才 指 苏州工业园区得数聚才企业管理合伙企业（有限合
伙）
原点创投 指 苏州工业园区原点创业投资有限公司
中新创投 指 中新苏州工业园区创业投资有限公司
聚源聚芯 指 上海聚源聚芯集成电路产业股权投资基金中心（有
限合伙）
哈勃投资 指 哈勃科技创业投资有限公司，曾用名“哈勃科技投
资有限公司”
智禹东微 指 苏州工业园区智禹东微创业投资合伙企业（有限合
伙）
智禹淼森 指 苏州智禹淼森半导体产业投资合伙企业（有限合伙）
智禹博信 指 苏州工业园区智禹博信投资合伙企业（有限合伙）
智禹博弘 指 苏州工业园区智禹博弘投资合伙企业（有限合伙）
电征科技 指 苏州电征科技有限公司
《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》
《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》
财政部于 2006 年 2 月 15 日颁布的企业会计准则及
《企业会计准则》 指 其应用指南和其他相关规定，以及相关规定、指南
的不时之修订
报告期末 指 指 2025 年 6 月 30 日
《公司章程》 指 现行有效的《苏州东微半导体股份有限公司章程》
及其修订和补充
股东大会、股东会 指 苏州东微半导体股份有限公司股东会
董事会 指 苏州东微半导体股份有限公司董事会
监事会 指 苏州东微半导体股份有限公司监事会
常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常
半导体 指 见的半导体材料有硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。
硅是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响
力的一种
半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采用特
殊的半导体制备工艺，实现特定单一功能的半导体
分立器件 指 器件，且该功能往往无法在集成电路中实现或在集
成电路中实现难度较大、成本较高。分立器件主要
包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、
IGBT 等
又称电力电子功率器件，主要用于电力设备的电能
半导体功率器件、功率半导体 指 变换和电路控制，是进行电能（功率）处理的核心
器件，弱电控制和强电运行间的桥梁。半导体功率
器件是半导体分立器件中的主要组成部分
MOSFET、功率 MOSFET 或 MOS 指 金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种典型半
导体器件结构，目前已广泛使用在电力电子电路中，

也可以单独作为分立器件使用以实现特定功能
沟槽型功率 MOSFET 指 MOSFET 栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密
度、低导通损耗等特点
基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加
超级结 MOSFET 指 入 p-n 柱相互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器
件结构，具有工作频率高、导通损耗小、开关损耗
低、芯片体积小等特点
基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加
屏蔽栅 MOSFET、SGT、SGT MOSFET 指 入额外的多晶硅场板进行电场调制从而提高耐压和
降低导通电阻的器件结构，具有导通电阻低、开关
损耗小、频率特性好等特点
绝缘栅双极型晶体管，同时具备 MOSFET 和双极性晶
IGBT 指 体管的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力
强、功率控制能力高、工作频率高等特点
TGBT 指 Tri-gateIGBT ， 一 种 公 司 采 用 独 立 知 识 产 权
Tri-gate 器件结构的创新型 IGBT 产品系列
Vth 指 Threshold Voltage，阈值电压
DC-DC 指 将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压，也
称为直流斩波器
将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓
功率模块 指 扑封装在一起，形成整体模块化产品。该类产品集
成度高、功率密度高、功率控制能力强，往往应用
于大功率或小体积的电力电子产品
经过半导体制备工艺加工后的晶圆片半成品，进一
晶圆 指 步通过封装测试可以形成半导体器件产品。每片 8
英寸晶圆包含数百颗至数万颗数量不等的单芯片