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中信证券股份有限公司关于深圳市恒运昌真空技术股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市的上市保荐书(注册稿)(深圳市恒运昌真空技术股份有限公司)

公告时间:2025-11-15 08:53:35

中信证券股份有限公司
关于
深圳市恒运昌真空技术股份有限公司
首次公开发行股票并在科创板上市

上市保荐书
保荐人(主承销商)
广东省深圳市福田区中心三路 8 号卓越时代广场(二期)北座
声 明
中信证券股份有限公司及其保荐代表人已根据《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》等法律法规和中国证监会及上海证券交易所的有关规定,诚实守信,勤勉尽责,严格按照依法制定的业务规则和行业自律规范出具上市保荐书,并保证所出具文件真实、准确、完整。
本上市保荐书所有简称释义,如无特别说明,均与招股说明书一致。

目 录

声 明...... 1
目 录...... 2
一、发行人概况 ...... 3
二、申请上市股票的发行情况 ...... 21
三、本次证券发行上市的保荐代表人、协办人及项目组其他成员情况...... 21
四、保荐机构是否存在可能影响其公正履行保荐职责的情形的说明...... 23
五、保荐机构承诺事项 ...... 24
六、发行人就本次证券发行上市履行的决策程序...... 25
七、保荐机构关于发行人符合科创板定位要求的核查意见...... 25
八、保荐机构对发行人是否符合科创板上市条件的说明...... 27
九、保荐机构对发行人持续督导工作的安排 ...... 28
十、保荐机构认为应当说明的其他事项 ...... 29
十一、保荐机构对本次股票上市的推荐结论 ...... 30
一、发行人概况
(一)发行人基本资料
中文名称 深圳市恒运昌真空技术股份有限公司
英文名称 Shenzhen CSL Vacuum Science and Technology Co.,
Ltd.
注册资本 5,077.1129 万元
法定代表人 乐卫平
有限责任公司成立时间 2013 年 3 月 19 日
整体变更日期 2023 年 12 月 18 日
公司住所 深圳市宝安区西乡街道铁岗社区桃花源智创小镇功
能配套区 B 栋 101,201,301
公司办公地址 深圳市宝安区西乡街道铁岗社区桃花源智创小镇功
能配套区 B 栋 101,201,301
邮政编码 518102
电话号码 0755-27813086
传真号码 0755-27813086
互联网网址 www.csl-vacuum.com
电子信箱 IR@csl-vacuum.com
负责信息披露和投资者关系的部门 董事会办公室
信息披露负责人 董事会秘书 庄丽华
信息披露负责人电话 0755-27813086
(二)主营业务情况
公司是国内领先的半导体设备核心零部件供应商,主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服务,并引进真空获得和流体控制等相关的核心零部件,围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案。
如果我们把芯片制造比喻成版画艺术品的高科技复刻,那么产生及控制等离子体的等离子体射频电源系统就是这场高科技复刻的“指挥家”。等离子体射频电源系统通过精确控制电流频率和功率,指挥着半导体制造过程中的等离子体变化,确保在晶圆表面精确、均匀地沉积出薄膜层、精细地刻蚀出复杂图形和去除光刻胶等。等离子体由于具有独特的光、热、电物理特性以及高活性、高能量的特点,为半导体精密制造提供了不可替代的工艺基础。如今等离子体工艺广泛应
用于薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键合等芯片制造的重要环节,并随着先进封装技术的发展应用于更多工艺环节中。随着芯片结构的不断复杂化、半导体工艺制程的持续演进,等离子体工艺的关键作用将愈发凸显。
图:等离子体在半导体各前道工艺中的应用(蓝框)
等离子体射频电源系统是半导体设备零部件国产化最难关卡之一,技术壁垒高、研发投入大、研发周期长、生产的“精确复制”要求极高,因而国产化率极低。根据弗若斯特沙利文统计,2024 年中国大陆半导体领域等离子体射频电源系统的国产化率不足 12%,属于被“卡脖子”最严重的环节之一。公司聚焦于等离子体射频电源系统的技术攻关,历经十年,先后推出 CSL、Bestda、Aspen 三代产品系列,成功打破了美系两大巨头 MKS 和 AE 长达数十年在国内的垄断格局。公司自主研发的第二代产品 Bestda 系列可支撑 28 纳米制程,第三代产品Aspen 系列可支撑 14 纳米先进制程,达到国际先进水平,填补国内空白。与此同时,国内主要晶圆厂被美国商务部列入实体清单后,无法向原海外设备供应商采购备件或申请维修服务,公司为此承接了进口等离子体射频电源系统的原位替换及维修的业务。
半导体设备及零部件行业具有“精确复制”的要求,以保障晶圆厂在产能快速扩张下的芯片品质,因此等离子体射频电源系统的量产必须确保高度稳定和可重复的生产工艺,并且需经过精密的校准和严格的测试流程,以保证性能的一致性和长期稳定性。在此严苛要求下,公司已具备成熟的规模化量产能力,公司产品已量产交付拓荆科技、中微公司、北方华创、微导纳米、盛美上海等国内头部半导体设备商,并成为薄膜沉积、刻蚀环节国内头部设备商的战略级供应商。截
至 2025 年 6 月 30 日,公司与上述客户已实现百万级收入的自研产品共 38 款,
实现千万级收入的自研产品共 24 款。
等离子体射频电源系统的自主可控对我国半导体产业供应链安全具有重要意义。公司承担了国家半导体产业的基础再造和重大技术装备攻关任务,先后承接 3 项国家级重大专项课题,助力提高我国半导体产业的供应链韧性和安全水平。
截至报告期末,公司拥有已授权发明专利 108 项,在申请发明专利 133 项。
公司是国家高新技术企业、中国集成电路零部件创新联盟理事单位、国家专精特新重点“小巨人”、国家专精特新“小巨人”、“科创中国”射频开关电源创新基地、广东省 2024 年制造业单项冠军、广东省射频开关电源工程技术研究中心,并获得第六届中国集成电路创新联盟“IC 创新奖”、广东省真空科技进步一等奖、2024 年“湾芯奖”之“核心零部件创新奖”、中芯国际“零部件模组战略供应商”、拓荆科技“超卓伙伴奖”和“最佳交付奖”、微导纳米“最佳合作奖”等荣誉。
(三)核心技术情况
经过十多年的持续研发、不断创新和积累,公司以技术发展、行业需求为双导向,研发了多项核心技术。公司的核心技术包括两方面:1)从测量、控制及架构三方面构建的底层通用的 3 大基石技术;2)基于 3 项基石技术,结合半导体设备中的应用,特别是先进制程中更快速、更精准、更稳定的应用诉求和实现难点,发展出 8 大产品化支撑技术。
公司核心技术已建立完善的保护体系,除了部分因技术机密原因未申请专利,
属于非专利技术,其余核心技术均已对应形成 101 项已授权发明专利,均为自主
研发。具体情况如下:
技术 序 核心技术 相关发明 技术 所处 技术先进性的具体表征
大类 号 专利情况 来源 阶段
有效解决国内射频测量技术所使用的模拟系统和半数字
系统存在因反射能量、非线性器件温漂及电抗所带来测
等离子体电 量精度误差问题
1 源全数字测 已授权: 自主 批量 基于逻辑电路进行运算,规避了非线性元件引入的温度
量技术 16 项 研发 生产 和功率影响,可用数学模型准确来建模,直接通过模型
中进行参数校正,实现了阻抗精度小于 1%,在极宽的功
率动态范围内都能保持精度。同时,具有较强的可扩展
性。可以在基本算法的基础上添加不同的应用功能算法
可适应沉积不同的材料、刻蚀不同的深度的沟槽、不同
的反应温度、腔体结构等复杂晶圆工艺中所需的功率跳
变,并对每个功率水平进行稳定控制
该技术可以根据电源的工作频率自动调节信号采集和反
等离子体电 已授权: 自主 批量 馈的间隔时间,最短可达微秒级别。更频繁的采样次数
基 石 2 源全数字环 14 项 研发 生产 可以提升传输及调整的效率,最终将整体等离子体射频
技术 路控制技术 电源功率调整响应时间控制在 10ms 以下,而国际上目前
等离子体射频电源控制采用多模式控制策略,电源功率
调整时间为 10ms 至 30ms。通过多环电路切换与启动相
应环路控制策略,使等离子体射频电源能有效适应不同
的脉冲水平控制和不同负载下的变化
国内的等离子体射频电源起步较晚,很少有针对等离子
体的创新设计,现有设计在应用时在功放效率和更宽的

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