宏微科技:江苏宏微科技股份有限公司2025年半年度报告

公司代码：688711 公司简称：宏微科技
转债代码：118040 债券简称：宏微转债
江苏宏微科技股份有限公司
2025 年半年度报告

重要提示
一、 本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不
存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、 重大风险提示
本公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之四“风险因素”部分。
三、 公司全体董事出席董事会会议。
四、 本半年度报告未经审计。
五、 公司负责人赵善麒、主管会计工作负责人王巧巧及会计机构负责人（会计主管人员）王巧
巧声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
六、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
无
七、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
八、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用
本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
九、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十一、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十二、 其他
□适用 √不适用

目录

第一节 释义 ...... 4
第二节 公司简介和主要财务指标 ...... 6
第三节 管理层讨论与分析 ...... 10
第四节 公司治理、环境和社会 ...... 35
第五节 重要事项 ...... 37
第六节 股份变动及股东情况 ...... 67
第七节 债券相关情况 ...... 72
第八节 财务报告 ...... 75
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人
备查文件目录 员）签名并盖章的财务报表。
报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。

第一节 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
发行人、公司、本公司、宏微科 指 江苏宏微科技股份有限公司，系由原江苏宏微科技
技 有限公司于 2012 年 8 月 18 日整体变更设立
芯动能 指 常州芯动能半导体有限公司
锦创科技 指 常州锦创电子科技有限公司
宏电节能 指 江苏宏电节能服务有限公司，公司全资子公司
CISSOID S.A. 指 CISSOID S.A.系公司参股公司
英飞凌 指 英飞凌科技公司（Infineon Technology AG）
富士电机 指 富士电机株式会社（Fuji Electric）
三菱电机 指 三 菱 电 机 株 式 会 社 （ Mitsubishi Electric
Corporation）
安森美 指 安森美半导体公司（ON Semiconductor）
常春新优 指 赣州常春新优投资合伙企业（有限合伙）
汇川技术 指 深圳市汇川技术股份有限公司
台达集团 指 台达电子工业股份有限公司
英威腾 指 深圳市英威腾电气股份有限公司及其全资子公司苏
州英威腾电力电子有限公司
奥太集团 指 山东奥太电气有限公司及其同一控制下企业
华虹宏力 指 上海华虹宏力半导体制造有限公司
宏微爱赛 指 上海宏微爱赛半导体有限公司，公司控股子公司
中证鹏元 指 中证鹏元资信评估股份有限公司
芯片 指 从晶圆上切割下来的内含基本功能元胞的晶粒
用于电器设备中实现电能变换和控制的半导体器件
功率半导体器件 指 （通常指电流为数安至数千安，电压为数百伏至数
千伏的半导体器件）
半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采用特
分立器件 指 殊的半导体制备工艺，实现特定单一功能的半导体
器件。分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、
晶闸管、MOSFET、IGBT 等
第三代半导体 指 第三代半导体材料，主要包括 SiC（碳化硅）、GaN
（氮化镓）等
光伏逆变器 指 可将光伏（PV）太阳能板产生的可变直流电压转换
为市电频率交流电（AC）的逆变器
Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写，绝缘
IGBT 指 栅双极型晶体管，是一种电压控制开关型功率半导
体器件，也是电能转换的核心器件
Fast-Recovery Diode 的缩写，快恢复二极管，是一
种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体
FRD 指 二极管，主要应用于开关电源、PWM 脉宽调制器、变
频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二
极管或阻尼二极管使用
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
MOSFET 指 Transistor，金属氧化物场效应晶体管，是一种高
频的电压控制开关型功率半导体器件
SiC 指 碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料的代表之
一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速

率高和击穿电场高等特性，是生产第三代功率半导
体器件的主要材料
氮化镓（GaN）是第三代半导体材料代表之一，具有
GaN 指 禁带宽度大，临界磁场高、电子迁移率与电子饱和
迁移速率极高等性质
Dual-sided Cooling 的缩写，双面水冷技术。在双
DSC 指 面散热技术的基础上，器件上下面散热器采用水冷
散热方式，或上下散热板为水冷的冷却方式。
Single-sided Cooling 单面散热的缩写，在芯片烧
SSC 指 结技术基础上，将器件下表面烧结或焊接到散热板
的一种冷却方式。
芯片设计企业将设计方案完成后，由芯片代工企业
芯片代工 指 通过采购硅片材料、光刻、刻蚀、离子注入、扩散
等环节制造出芯片
封装 指 将晶圆分割成单个的芯片后，将芯片安放、焊接引
线和连接到一个封装体上
测试 指 封装后对半导体器件功能、电参数等进行测量，以
检测产品的质量
保荐机构（主承销商）、保荐人 指 中信证券股份有限公司
证监会、中国证监会 指 中国证券监督管理委员会
《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》
《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》
《公司章程》 指 《江苏宏微科技股份有限公司章程》
报告期