锴威特:苏州锴威特半导体股份有限公司关于2024年年度报告的信息披露监管问询函的回复公告

证券代码：688693 证券简称：锴威特 公告编号：2025-025
苏州锴威特半导体股份有限公司
关于 2024 年年度报告的信息披露监管问询函的回复公告
本公司董事会及全体董事保证公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述 或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。
苏州锴威特半导体股份有限公司（以下简称“公司”）于 2025 年 4 月 24 日收
到上海证券交易所科创板公司管理部下下发的《关于苏州锴威特半导体股份有限公司 2024 年年度报告的信息披露监管问询函》（上证科创公函【2025】0065 号）（以下简称“年报问询函”）。公司收到年报问询函后高度重视，会同华泰联合证券有限责任公司（以下简称“持续督导机构”）、北京德皓国际会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称“年审会计师”）就年报问询函提及的事项逐项进行了认真讨论、核查与落实，现就有关事项回复如下：
一、关于营业收入与毛利率。
2024 年，公司实现营业收入 13,013.44 万元，较上年同期下降 39.12%；实
现净利润-9,718.93 万元，由盈转亏。2024 年公司毛利率为 35.46%，比上年减少9.51 个百分点。分产品看，功率器件毛利率 5.54%，同比减少 11.9 个百分点，
功率 IC 毛利率 90.17%，同比减少 3.27 个百分点，技术服务毛利率 5.4%，同比
减少 61.61 个百分点。请公司：（1）补充说明上市以来公司产品布局、核心竞争力、研发进展情况；结合同行业可比公司情况，区分产品类别说明营收、利润大幅下滑的原因，下滑趋势是否将会持续；（2）补充说明报告期公司前五大客户销售情况，包括但不限于客户基本情况、变动原因、主要销售产品、销售收入、期末库存、销售回款、是否存在关联关系等；（3）列示技术服务业务的主要客户名称、合同金额及内容、收入确认方式、信用政策及回款情况，补充说明技术服务收入和毛利率大幅下滑的原因；（4）说明功率 IC 的核心竞争壁垒、毛利率
超过 90%且与功率器件毛利率存在较大差异的原因；（5）公司部分业务毛利率较低，结合具体原因说明是否存在实质为贸易类业务的交易。
回复：
一、 补充说明上市以来公司产品布局、核心竞争力、研发进展情况；
结合同行业可比公司情况，区分产品类别说明营收、利润大幅下滑的原因，
下滑趋势是否将会持续；
（一） 产品布局及研发进展情况
公司上市以来，坚持“功率器件+功率 IC”双轮驱动的技术路线，围绕高可靠领域中高功率密度电源及电机驱动系统需求的功率半导体芯片继续展开研究，实现该类芯片的国产替代，确保自主可控。同时通过掌握的核心技术向工业控制、新能源及人工智能等领域进行布局。
目前公司主要产品的整体布局结构如下：

1、功率器件方面：基于公司已有产品和业务，延伸超高压平面 MOSFET 产
品的开发，同时不断优化平面 MOSFET 的设计和制造平台，进一步提升产品性
能和竞争力，拓展中低压大电流沟槽 MOSFET 及高压超结 MOSFET 的产品布
局，优化完善 SiCMOSFET 工艺及设计平台，不断提升产品性能及可靠性，使公 司在功率器件领域的产品更加丰富和优质，有助于满足不同客户的要求，增强产 品的市场竞争力。
产品类别 主要特点 耐压 产品布局研发进展 应用领域
低漏电、高安 1、1700V2A、3A 产品已量产 消费电子、智能电
全工作区、产 40V-1700V 2、1000V3A 集成 ESD 产品已量 表、汽车电子、高
品采用 7 次光 产 可靠领域
刻
1、公司第二代平面 MOSFET 设
寄生电容小、 计及工艺平台建设完成 消费电子、工控电
平面 工作频率高、 500V-700V 2、500V 10-50A 产品量产 源及高可靠领域
MOSFET 开关损耗小 3、650V 2-10A 客户验证通过，
产品已进入小批量试产
集成快恢复的 1、500V3~8A、600V2-6A 产品
高压 MOSFET 300V- 已量产 工控及高可靠领
反向恢复时间 1200V 2、900V、1000V、1200V 进入客 域的电机驱动
短、反向恢复 户认证阶段
电荷小
元胞密度高、 中小功率的电机
光刻次数少、 20V-60V 20V-60V 工艺平台已量产，产品 驱动，如：电动工
竞争力高 系列化研发工作基本完成 具、无人机、机器
人等
中低压 1、100V 工艺平台研发成功，个
沟槽 别产品已量产，正在进行产品系
MOSFET 电流密度大、 列化布局
开关损耗低、 30V-150V 2、30V、40V、60V、80V 工艺平 BMS 系统、机器
抗短路耐量强 台研发成功，进行小批试产 人、高可靠领域
3、120V 和 150V 工艺平台正在
研发中，预计 2025 年完成研发
工作
多 次 外 延 工
艺、抗雪崩能 600V-850V 产品已量产
力强、易通过
超结 EMI 验证 适配器、充电桩、
MOSFET 多 次 外 延 工 光伏微逆等
艺、元胞密度 600V、650V 产品已完成系列化研发工作，进
高、开关损耗 入小批量试产
低
SiC 高可靠性、抗 1700V 、 1、1700V 进入小批量试产 工商业储能和新
MOSFET 高压冲击能力 2600V 、 2、2600V 和 3300V 客户验证阶 能源汽车用固态

产品类别 主要特点 耐压 产品布局研发进展 应用领域
强 3300V 段 继电器
元胞密度高、 已完成 650V 、750V、 900V、 光伏、工业电源、
低导通阻抗、 650V- 1200V 和 1700V 工艺平台，正在 新能源汽车 OBC
低开关损耗 1700V 进行产品系列化布局 和 DCDC、高可靠
领域
集成 SiCSBD， 已完成 650V、1200V 的样品试
体二极管导通 650V 、 制，正在进行可靠性验证，预计 新能源汽车双向
压降低、反向 1200V 2025 年完成小批试产 OBC、电机驱动
恢复特性好
2、功率 IC 方面：围绕高可靠领域对功率 IC 需求的多样化及对功率密度、
高可靠及智能化的要求，丰富公司产品谱系，构建完整的产品生态；同时利用高
可靠领域的技术积累，积极布局消费和工业控制领域的功率 IC，与功率器件形
成技术和市场协同，优化系统性能，降低客户端的系统成本。
功率 IC 产品公司主要围绕电源管理和电机驱动进行产品布局和研发。
产品 细分品类 产品特点 产品布局研发进展 应用领域
类别
功率因数可达 0.99 以 高可靠
PFC 控制器 上；效率可达 97%以 单相、交错 CCM 产品已量产 可拓展至工业
上 控制
工作电压范围宽、支 支持反激、正激、推挽、半桥、 高可靠
隔离PWM控制器 持高频工作、具有多 全桥、移相全桥拓扑的产品已量 部分产品可拓
种保护功能 产，LLC 谐振控制 IC 在测试认 展至工业控制
证阶段
1、低边驱动单通道、双通道产 高可靠
栅极驱动器 工作电压范围宽、支 品已量产 部分产品可拓
持高频工作 2、半桥驱动 100V 产品已量产， 展至工业控制
150V 产品进入小批量产
电源 替代肖特基二极管， 1、3.3V~100V 产品已量产 高可靠
管理 理想二极管控制 降 低导通 损耗 可达 2、150V 产品研发中 部分产品可拓
器 90%以上 3、光伏旁路理想二极管样品试 展至工业控制
制中