云南锗业(002428):进军二代半导体,业绩反转在即-首次覆盖报告

本报告导读:预计5G将极大拉动GaAs衬底需求增长,InP有望受益于光通讯快速放量,公司二代半导体产业链布局较早,放量确定性高,业绩反转在即.

   投资要点:首次覆盖给予增持评级。预计5G时代手机GaAs衬底需求将大幅增长,InP有望受益于光通讯快速放量,公司两者皆有布局,发力二代半导体,长期拐点可期。预计公司2020-2022年EPS分别为每股0.03/0.12/0.23元,综合PE及PB估值方法给予公司目标价13.8元。对应2020～2022年PE480/115/60倍,当前空间38％,首次覆盖增持评级。

   5G时代手机GaAs衬底需求将快速增长。相较一代半导体二代性能更为优异,相较三代半导体二代成本更占优势,5G时代以GaAs为代表的二代半导体材料或最先受益:预计5G手机PA数量增加、5G渗透率提升及VCSEL应用将大幅拉动GaAs衬底需求。我们测算2025年PA用GaAs衬底需求将约200万片(折合4英寸),对应市场空间约200亿元,5年CAGR约17.5％;VCSEL用GaAs衬底需求将约75万片(折合4英寸),对应市场空间11.2亿元,5年CAGR约9.8％。而目前国内手机用GaAs渗透率(PA及VCSEL)不足10％,进口替代空间巨大,以云锗为代表的国内相关企业有望率先受益。

   InP有望快速放量,订单确定性较高。InP电子迁移率高,耐辐射性能好,禁带宽度大,在光通讯领域具备重要应用。公司15万片单晶项目旨在光通讯,订单确定性高,盈利潜力良好,投产放量在即,有望助力公司业绩长期拐点来临。

   催化剂:公司GaAs、InP快速放量,5G手机渗透率快速提升

   风险提示:5G渗透不及预期的风险