8-1发行人及中介机构回复意见(北京昂瑞微电子技术股份有限公司)

关于北京昂瑞微电子技术股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市
申请文件的审核问询函之回复
保荐人（主承销商）
（北京市朝阳区安立路 66 号 4 号楼）
二〇二五年七月
上海证券交易所：
根据贵所于 2025 年 4 月 15 日出具的上证科审（审核）〔2025〕47 号《关
于北京昂瑞微电子技术股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市申请文件的审核问询函》（以下简称“问询函”）的要求，中信建投证券股份有限公司（以下简称“中信建投证券”、“保荐机构”或“保荐人”）作为北京昂瑞微电子技术股份有限公司（以下简称“昂瑞微”、“发行人”或“公司”）首次公开发行股票并在科创板上市的保荐人（主承销商），会同发行人及发行人律师广东信达律师事务所（以下简称“信达律师”、“发行人律师”、“律师”）和申报会计师中审众环会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称“中审众环”、“申报会计师”、“会计师”）等相关各方，本着勤勉尽责、诚实守信的原则，就问询函所提问题逐项进行认真讨论、核查与落实，并逐项进行了回复说明。具体回复内容附后。
说明：
一、如无特殊说明，本回复中使用的简称或名词释义与《北京昂瑞微电子技术股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书（申报稿）》（以下简称“《招股说明书》”）一致；
二、本问询函回复的内容按如下字体列示：
问询函所列问题 黑体（不加粗）
对问询函所列问题的回复 宋体（不加粗）
对招股说明书的修改、补充 楷体（加粗）
三、本回复中若出现总计数尾数与所列数值总和尾数不符的情况，均为四舍五入所致。

目录

1.关于产品 ...... 3
2 关于市场 ...... 41
3.关于持续经营 ...... 61
4.关于技术 ...... 88
5.关于股权 ...... 98
5.1 关于实际控制人...... 98
5.2 关于其他股东 ......116
6.关于销售与客户 ...... 133
7.关于采购与供应商 ...... 148
8.关于收入 ...... 166
8.1 关于收入确认...... 166
8.2 关于收入增长...... 173
9.关于成本和毛利率 ...... 191
10.关于期间费用 ...... 198
10.1 关于研发费用...... 198
10.2 关于管理费用和销售费用...... 209
11.关于股份支付 ...... 216
12.关于存货 ...... 223
13.关于固定资产、在建工程和无形资产 ...... 232
14.关于应收账款 ...... 246
15.关于募投项目 ...... 254
保荐机构总体意见 ...... 278
1.关于产品
根据申报材料：（1）公司主要产品为射频前端芯片、射频 SoC 芯片及其他
模拟芯片，射频前端芯片包括 5G PA 及模组、4G PA 及模组、2G/3G PA 及模组、
射频开关以及射频前端其他产品；（2）2024 年，公司 5G PA 及模组收入为90,278.95 万元，占射频前端合计收入的比例为 50.42%，在 5G 射频前端模组能力方面已处于行业领先水平；（3）报告期内，发行人 4G PA 及模组收入分别为38,888.05 万元、33,396.29 万元和 50,662.75 万元，存在一定波动，2G/3GPA
及模组收入分别为 13,917.10 万元、11,727.92 万元和 11,780.96 万元，2023 年
销量经历下滑后基本保持稳定；（4）发行人开关产品包括射频开关、天线调谐
开关，报告期内收入分别为 4,210.59 万元、9,817.26 万元和 18,319.08 万元；
（5）局域无线通信技术主要包括 2.4GHz、蓝牙、WiFi、ZigBee、星闪等，发行人射频 SoC 芯片包括低功耗蓝牙类、2.4GHz 私有协议类和其他产品，下游应用领域主要为无线键鼠、智能家居、健康医疗和智慧物流等；（6）除射频前端芯片、射频 SoC 芯片外，公司业务还包含其他模拟芯片。
请发行人披露：（1）对比国际领先厂商，发行人 5G 射频前端模组能力处于行业领先水平的具体体现及依据，发行人 L-PAMiD 量产时间、收入及同行业对比情况；（2）发行人 2G-4G PA 及模组产品是否面临技术淘汰风险，相关业务未来是否可持续及具体规划；（3）射频开关/天线调谐开关的收入金额及占比、主要客户，相关客户采购开关产品而非采购发行人模组产品的原因；（4）射频前端其他产品的产品类型、功能、应用领域及主要客户情况；（5）不同无线物联网协议标准的特点、关系、技术难度差异，发行人射频 SoC 的产品布局与同行业公司的比较情况，区分下游应用领域说明公司射频 SoC 芯片对应实现的收入及占比；（6）其他模拟芯片的具体种类、应用领域和主要客户、收入情况。
请保荐机构简要概括核查过程并发表明确意见。
回复：

一、对比国际领先厂商，发行人 5G 射频前端模组能力处于行业领先水平的
具体体现及依据，发行人 L-PAMiD 量产时间、收入及同行业对比情况
（一）对比国际领先厂商，发行人 5G 射频前端模组能力处于行业领先水平
的具体体现及依据
5G 通信是当前蜂窝通信中的主流制式，也是射频前端芯片的主要应用场景。5G 通信信道具有数据承载量大、通信频段多、通信干扰较强等特点，因此对射频前端产品性能要求较高。同时，在智能终端小型化的趋势下，器件在同等面积下需集成更多功能，因此，射频前端模组亦在向模组化方向演进，技术和工艺难度进一步提升。
作为在射频前端领域多产品线布局的国产厂商，发行人具备深厚的技术积累和多工艺平台设计能力，通过对砷化镓 PA 的创新电路设计、功率合成网络设计、以及模组的隔离度优化，发行人已开发出可以满足 5G 通信所需的功率要求、效率要求和收发隔离要求的 5G 射频前端模组，并通过对滤波器和低噪声放大器的集成，实现了模组产品小型化。目前，发行人已开发出覆盖 5G 全频段的一整套收发、发射和接收模组产品，满足移动终端所需的多通道、多级增益、以及多发多收的射频模组功能需求。
当前 5G 制式的主流射频前端方案如下：
5G 频段 主集收发模组 分集接收模组
重耕频段 模组方案 L-PAMiD L-DiFEM
Sub 3GHz 分立方案 TxM、MMMB PA、LNABank LNA Bank
新频段 模组方案 L-PAMiF L-FEM
Sub 6GHz
公司与品牌客户深度合作，在满足客户多方面的需求同时也帮助公司在第一时间掌握行业前沿技术路径和产品路线图，优先获得客户需求规格及验证支持，为产品率先实现量产打下基础。经过多年持续研发投入与技术积累，公司目前已
形成覆盖 5G 新频段、5G 重耕频段发射和接收模组、分立器件的 5G 产品线，广
泛应用于从中低端机型到高端旗舰机型的各类智能终端。
1、高集成度、高技术难度 L-PAMiD 模组率先突破，5G 模组能力全面提升
按照频率划分，5G 频段分为新频段（Sub 6GHz）和重耕频段（Sub 3GHz），
其中重耕频段（Sub 3GHz）承载的通信频段多，带宽较小，频段间的通信干扰较强，需要支持载波聚合技术，特别是模组方案需要兼顾器件小型化，在高性能基础上还需要满足高集成度设计，因此覆盖该频段的模组产品技术难度较高。
（1）发行人率先实现 5G Phase 7LE L-PAMiD 模组对品牌客户大规模量产
出货
在 5G 射频前端模组产品中，应用于高端机型的 5G 重耕频段收发模组
L-PAMiD，其单个模组中需要集成的器件数量多，在 5G 射频前端产品中的技术难度最高，国产化率也最低，是影响射频前端产业国产化进程的核心器件。发行人依托长期研发积累形成的高集成度模组化能力，在国家部委重大攻关项目及重点品牌客户的牵引下，于 2023 年与唯捷创芯在国内率先实现 L-PAMiD 产品对主流品牌客户大规模量产出货，打破了国际厂商垄断，标志着公司在 5G 射频前端模组能力方面已处于行业领先水平。
（2）紧跟射频前端技术发展趋势，持续跟进 5G 射频前端模组迭代演进
依托 5G Phase 7LE L-PAMiD 模组突破并实现品牌客户导入的经验，通过多
年自主研发积累，发行人已形成行业领先的高集成度模组的设计开发能力，持续跟进 L-PAMiD 模组迭代演进。
图：5G 射频前端方案架构演进（Sub-3GHz 频段，主集收发模组方案）
资料来源：行业研究资料、发行人调研及公开资料整理

① 高性能方案
Phase 7LE 模组方案具有高集成度、高性能等特点，主要应用于高端及旗舰手机市场。2023 年，发行人率先实现 L-PAMiD 产品对品牌客户大规模量产出货，取得了突破性进展，标志着发行人相关技术方案和产品性能达国内领先、国际先进水平，为下一代模组方案的研发赢得了先发优势。
为满足更多通信频率和制式，高门槛、高技术难度的 Phase 7LE 模组提高了
隔离度、降低了带内损耗，同时使用多工器和阻抗匹配技术，支持载波聚合功能，最大支持 4 路聚合接收，大幅提高下行速率。由于频段复杂，发射与接收、多路接收并行带来了严重的带间干扰，L-PAMiD 模组使用共型屏蔽技术和分腔屏蔽技术，解决了模组对外辐射杂散的射频难题，避免了模组对外的辐射干扰和手机屏蔽罩对内部带来的泄漏和相互干扰，同时解决了模组内部芯片和频率之间的噪声耦合和信号泄漏，大大提高了灵敏度和传输速率。
随着技术的不断演进，发行人与品牌客户持续深度合作，进行高性能产品的
迭代，成功研发了小型化双面 BGA 封装的 Phase 7LE DSBGA 模组。该产品支持
完整多频载波聚合、EN-DC 双发射，并且通过采用双面 BGA 封装技术、新型介质的超薄基板工艺、超薄滤波器技术、C-MOLDING 和可控研磨技术实现了更小的器件尺寸，其在效率、功耗等关键性能上实现了相对上一代产品的显著提升，该产品预计主要应用于高端/旗舰机型的下一代方案，并将继续向高性能、高集成度方向迭代。
未来，发行人将继续升级迭代 Phase X 高性能版本，对功率等级、频段覆盖、
CA 组合、天线端口数量等指标上持续优化；同时，在滤波器封装形式、基板与无源器件的集成度等方面进行设计与工艺的改进，积极提升产品性能，持续向高端射频模组领域拓展。
② 高集成度方案
除高性能方向外，发行人也在进行L-PAMiD模组高集成度方向的迭代。Phase
8L 方案下将 5G Low Band 与 Mid/High Band 通路进行了合并，并与 GSM 功能集
成在一个模组中，通过单颗模组实现 Sub-3GHz 全频段覆盖，同时支持多种频段
组合，包括 M+H/L+H 双发 EN-DC 及多频载波聚合。与 Phase 7LE 方案相比，
Phase 8L 方案面积更小，成本更低，使得射频模组化有望实现更广泛应用，但在谐波隔离度、噪声隔离度上存在劣势，适合对载波聚合和 EN-DC 要