晶盛机电(300316):12寸SiC衬底中试线通线,从并跑向领跑迈进-点评报告

#核心观点：1、公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线，性能指标包括TGV小于等于3um、厚度750um晶圆、表面粗糙度达0.1纳米级别、表面颗粒达0.3um。2、设备实现全线自主研发和100%国产化，核心加工设备自研攻关，性能指标达到行业领先水平。3、碳化硅衬底产能规划超百万片，包括宁夏创盛年产60万片8英寸碳化硅衬底项目、浙江晶瑞马来西亚工厂一期项目预计实现24万片/年8英寸碳化硅衬底产能、以及年产25万片6英寸和5万片8英寸碳化硅衬底片项目。4、公司为泛半导体“设备+材料”龙头，在光伏设备领域向超导磁场单晶炉、电池+组件设备、石英坩埚、金刚线延伸；在半导体设备领域覆盖8-12英寸晶体生长、切片、研磨、减薄、抛光、CVD等环节，并开发12英寸外延、LPCVD、ALD等设备；在碳化硅衬底方面，8英寸产品已批量生产，12英寸中试线通线，产能布局在浙江上虞、宁夏、马来西亚。

  

   #盈利预测与评级：预计2025-2027年公司归母净利润为10.7/12.6/15.2亿元，同比变化-57%/+18%/+21%，对应PE为56/47/39倍。维持“买入”评级。

  

   #风险提示：原材料价格波动；行业竞争进一步加剧风险；政策效果不及预期。

  

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