斯达半导(603290):积技以培风,以IGBT/SiC大翼将图南-深度分析

斯达半导聚焦于IGBT模块/SiC为主的功率半导体领域,成功研发出全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模块,实现进口替代。其中IGBT模块产品超过600种,电压等级涵盖100V-3300V,电流等级涵盖10A-3600A。产品已被成功应用于新能源汽车、变频器、逆变焊机、UPS、光伏/风力发电、SVG、白色家电等领域。受益于汽车电气化持续推进,汽车电子成为半导体领域逆势增长代表,800V平台架构下对SiC功率电子器件需求增长明显,为公司提供中长期强劲增长动力开启第二成长曲线。

   技术领先＆多领域覆盖,打开新能源汽车/风光储/工控需求增量。斯达半导优势在于IGBT模块,主要覆盖新能源汽车/风光储和工控领域。2013年斯达半导开始专注新能源汽车IGBT模块的研发,目前其IGBT电压等级涵盖范围为100V-3300V,率先实现第七代IGBT产品的研发。(1)车规IGBT模块合计配套超200万套主电机控制器,欧洲一线Tier1开始大批量交货。2023年,公司应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量,合计配套超过200万套新能源汽车主电机控制器,公司在车用空调、充电桩、电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高;公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的750V车规级IGBT模块大批量装车,公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的1200V车规级IGBT模块新增多个800V系统车型的主电机控制器项目定点,将对2024年-2030年公司新能源汽车IGBT模块销售增长提供持续推动力。(2)风光储/工控:风光储业务快速增长,产品在北美等海外市场批量装机,工控领域已为多家国际企业正式供应商。

   公司已是国内多家主流光伏逆变器、风电逆变器企业主要供应商,并且与头部企业建立了深入战略合作关系,继续发挥技术领先优势为客户提供更高功率、更高效率解决方案。基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT模块在地面光伏电站和大型储能批量装机,并在北美等海外电站批量装机;1200V、650V大电流单管已大批量应用于工商业光伏和储能,处于行业领先地位。在工业控制领域,公司已为国内多家头部变频器企业IGBT模块的主要供应商,已是工控行业多家国际企业正式供应商。

   五大优势加速SiC上车,率先卡位打造第二增长极。SiC上车可提供助力实现系统小型化,增大汽车可用空间;导通及开关损耗减少,从而续航里程增加;减少汽车重量,有利于轻量化;承受输入功率大,电机扭矩更大,加速能力强;降低电池成本提升续航里程,降低整车成本等五大优势。受益于汽车电气化的持续推进,汽车电子成为半导体领域逆势增长的代表,800V平台架构下对SiC功率电子器件需求增长明显。受益于中国新能源汽车厂商近年来持续投放新车型,销量同步快速增长的双核驱动,正带动本土SiCMOS供应商市占率稳步提升,仅比亚迪、极氪、吉利银河、蔚来、理想、赛力斯这几家车企,新能源乘用车SiCMOS主驱功率模块的国产化率已由2021年的31.89％提升至24Q1的65.57％。随着各品牌车企合作车型的上市和交付,斯达半导等国内厂商的市占率有望进一步提升。斯达半导作为国际领先功率器件厂商,在SiCMOS领域具有先发优势,2023年,公司应用于新能源汽车主控制器的车规级SiCMOSFET模块大批量装车应用,同时新增多个使用车规级SiCMOSFET模块的800V系统主电机控制器项目定点,将对公司2024-2030年主控制器用车规级SiCMOSFET模块销售增长提供持续推动力。

   募投项目有望于24年达使用状态,拓展高压功率/SiC器件,转向Fabless+IDM模式。2021年公司以非公开发行形式实际募集资金净额34.77亿元,用于高压特色工艺功率芯片研发及产业化/SiC芯片研发及产业化/功率半导体模块生产线自动化改造等项目。项目完成后,1)加快高压特色工艺功率芯片领域的布局,丰富公司产品线,满足智能电网、轨道交通、风力发电行业对高压功率芯片的市场需求;2)向碳化硅芯片研发及产业化领域拓展,从而达到优化产品结构,完善产品布局的目的;3)预计形成年产30万片6英寸高压特色工艺功率芯片/年产6万片6英寸SiC芯片生产能力,新增年产400万片的功率半导体模块生产能力。

   投资建议:考虑到新能源汽车/发电等领域下游客户端竞争加剧,致使上游厂商利润承压,我们调整对公司原有预测。预计2024年至2026年营业收入由原来的48.35/61.89/77.05亿元调整为45.22/52.56/61.76亿元,增速分别为23.5％/16.2％/17.5％;归母净利润由原来的12.00/15.26/19.07亿元调整为9.66/11.29/13.02亿元,增速分别为6.1％/16.9％/15.3％;对应PE分别为21.8/18.7/16.2倍。考虑到斯达半导是国内IGBT模块龙头且技术迭代处于国内领先水平,率先卡位SiCMOS开启第二增长极,新能源汽车/风光储/工控等下游应用蓬勃发展打开IGBT/SiCMOS需求增长空间,叠加预计24年非公开发行项目投产对下游市场供货保障能力提升。维持"买入"评级。

   风险提示:产品结构单一风险;新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险;产线建设及投产后收益不及预期风险;新能源汽车市场波动风险;下游需求不及预期风险。