东芯股份(688110):国产SLC NAND龙头,多元业务协同发力

公司概况:聚焦中小容量存储芯片赛道,SLC产品技术领先。东芯半导体股份有限公司成立于2014年,公司的主要产品为非易失性存储芯片NANDFlash、NORFlash;易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP。2022年公司实现营业收入11.46亿元,同比增长1.03％;NORFlash产品收入同比减少61.47％,主要系消费电子需求下滑,穿戴式应用需求走弱所致。22年公司实现归母净利润1.85亿元,同比减少29.17％,扣非归母净利润1.65亿元,同比减少35.42％。

   错位发力SLCNAND,成就国内龙头。NANDFlash是非易失性存储的一种,是大容量存储器当前应用最广和最有效的解决方案。SLC市场规模占整体NAND份额较小,国内厂商替代空间巨大,为公司主要聚集方向。根据Gartner数据统计,2019年中小容量的SLCNAND全球市场规模大约为16.71亿美元,公司NAND系列产品当年实现销售1.48亿元人民币,因此可测算公司产品的全球市场占比约为1.26％。近年来,公司重点发力NAND产品,NAND营收由18年的1.8亿元增至22年的7.1亿元,CAGR为41％,营收占比由18年的35％增至2022年的62％。公司SLCNAND产品种类丰富,实现1Gb至8Gb存储容量的广泛覆盖,产品性能国内领先,逐步追赶国际主流水平。

   同步布局DRAM+NOR产品,多条业务协同发力。公司DRAM产品细分为LPDRAM、SDRAM、PSRAM、DDR3四类。DRAM营收由18年的0.68亿元降至20年的0.47亿元,而后逐渐回升至22年的0.81亿元。DRAM产品结构的调整带动毛利率的走高,DRAM业务毛利率由17年的24％增至22年的34％。公司推出的LPDDR1和LPDDR2系列,适用于移动互联网中的智能终端、可穿戴设备等产品。公司在研的LPDDR4x以及PSRAM产品均已为客户提供样品,可用于基带市场和模块类客户。而22年NORFlash业务营收为0.72亿元,同比减少62％,主要系受消费电子需求下滑,穿戴式应用需求走弱影响。目前,公司的NORFlash产品在力积电的48nm制程上持续进行更高容量的新产品开发,512Mb、1Gb大容量NORFlash产品都已有样品可提供给客户。另一方面,公司在中芯国际的NORFlash产品制程从65nm推进至55nm,目前该制程产线已完成首次晶圆流片。

   投资建议:东芯股份聚焦中小容量存储芯片,其SLCNAND为主要发力点,已具备较强国际竞争力。同时公司同步进行NORFlash、DRAM产品的布局,各类产品实现均稳步进行制程与容量的高端化迭代。我们选取了兆易创新、北京君正、普冉股份作为可比公司。我们预计公司将在2023年至2025年实现收入12.5/16.8/20.5亿元,归母净利润2.1/3.4/4.8亿元,对应当前PE估值为71/44/31倍,首次覆盖,给予"买入"评级。

   风险提示:行业竞争加剧风险,下游需求减弱风险,新品导入不及预期风险。