南大光电(300346):ArF光刻胶认证通过,国产替代龙头进阶在即-事件点评

事件:2020年12月17日,南大光电发布公告称,子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶产品近日成功通过客户的使用认证,成为国内通过产品验证的第一款国产ArF光刻胶,为全面完成02专项目标奠定了坚实的基础。

   制程的关键,光刻胶性能决定了工艺所能达到的高度。根据全球半导体行业协会SEMI最新数据,2020年全球半导体材料市场将达到529.4亿美元,且2021年将增长至563.6亿美元,同比增长6％。而在众多半导体材料体系中,制备难度和技术重要性首屈一指的,非光刻胶莫属。作为IC光刻工艺中,光刻胶扮演着电路图案载体的重要角色,其品质好坏直接决定着光刻制程的成败,此外,光刻胶分辨率所能达到的极限指标,便是光刻工艺的极限领域。

   在工艺节点随摩尔定律演化至今的过程中,光刻胶发展分别经历了G/I线光刻胶(非化学放大)、KrF光刻胶(化学放大)、ArF光刻胶(化学放大)、ArFi光刻胶(化学放大)、EUV光刻胶等品类。本次南大光电验证通过的光刻胶属于仅次于EUV光刻胶的ArF光刻胶,线制程工艺可以满足45nm-90nm光刻需求,孔制程工艺可满足65nm-90nm光刻需求。南大光电是国内首家通过关键客户产品验证的ArF光刻胶生产厂商,虽然离全面替代尚需时日,但这是一个非常好的开始,再次验证了南大管理层与技术团队的领先技术水平,以及扎实审慎的工作推进能力。光刻胶作为核心战略性材料,工艺制程壁垒极高。与高端核心光刻机一样,我国IC产业界在高端光刻胶领域同样面临着受制于人的"卡脖子"困境。究其原因有如下几点:首先是技术壁垒,虽然光刻胶的本质是"照相底片"原理,但其所承载的电路图案几何尺寸仅有纳米级别,其图案"分辨率"、"边缘粗糙度"、"化学放大敏感度"有着近乎严苛的要求;其次是仓储物流,不同于其他半导体材料可以批量采购囤货以备不测,光刻胶必须保存于低温避光场所,对环境温度、湿度及光照度极为敏感,且保质期短,难以长期存储;再次是地缘政治,目前全球光刻胶主流供应商皆源于日本美国,中美贸易科技争端已然不必多言,而2019年日本对韩禁运光 刻胶令韩系面板及存储、芯片制程受到非常严重的影响。在当今复杂多变的国际形势下,高端光刻胶的突破不仅具备重要的经济价值,更为重要的是其对产业链安全的战略价值。

   需要看到,南大光电所推进的光刻胶自主自制,关键原材料同样受到日美竞争对手的遏制,用于前道制程的酚醛树脂以及很多中间体材料必须自主研制开发,决定光刻性能的诸多关键数据也只能靠自身不断摸索与积累,这是近乎于从无到有的挑战。能够通过下游客户的使用与认证,不仅仅是公司在光刻胶这一单一产品上的成功,更是从上游原材到中间制程的全面进化。

   光刻胶与前驱体、特气、MO源协同共进,半导体材料多点开花。作为一家从MO源起家的电子级材料供应商,南大光电的半导体材料版图除光刻胶以外,亦有MO源、ALD前驱体、磷烷、砷烷、含氟特气等多种IC核心材料,且诸多产品均已打入中芯国际、长江存储、台积电等国内外一线晶圆厂,此外在LED、面板及光伏领域亦有诸多建树。此番ArF光刻胶产品认证通过,进一步完善了公司在半导体前端材料领域的全体系业务拼图,对于下游晶圆厂业务的推广与深入具有非常重要的意义。

   盈利预测和投资评级:维持买入评级。由于年初疫情和中美贸易战的多重叠加,上半年公司主业MO源的下游销售与出海受到了相当的影响,对公司整体的业绩成长带来一定拖累,但下半年开始逐渐好转。随着中美贸易战的升级,以及美国对华为、中芯等科技企业的技术封锁层层加码,以光刻胶为代表的半导体关键技术的自主可控已经不是一个单纯的是否赚钱的经济问题,而是关乎产业生死存亡的战略要务。南大光电ArF光刻胶顺利通过客户验证,对企业发展来说,仅仅是一小步,但对半导体核心技术国产化来说,却是一大步,意义鲜明。预计公司2020-2022年实现归母净利润1.23、1.81、2.92亿元,当前市值对应PE分别为109.91、74.71、46.35倍,维持公司买入评级。

   风险提示:1)市场拓展不及预期;2)半导体景气度持续的不确定性;3)LED及光伏需求不及预期;4)新产品研发推广进度不及预期。