芯导科技:2023年年度报告

公司代码：688230 公司简称：芯导科技
上海芯导电子科技股份有限公司
2023 年年度报告

重要提示
一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、
完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
三、重大风险提示
公司已在本报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与
分析”中的“四、风险因素”部分内容。
四、公司全体董事出席董事会会议。
五、 天职国际会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
六、 公司负责人欧新华、主管会计工作负责人兰芳云及会计机构负责人（会计主管人员）张娟声
明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。
七、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司 2023 年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数分配利润。本次利润分配方案如下：
公司拟向全体股东每 10 股派发现金红利 6.00 元（含税），截至 2023 年 12 月 31 日，公司总
股本 117,600,000 股，以此计算合计拟派发现金红利 70,560,000.00 元 (含税)。本年度公司现金分
红总额占 2023 年度归属于上市公司股东净利润的 73.13%。
如在本方案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股、回购股份、股权激励授予股份回购注销、重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。上述事项已获公司第二届董事会第十一次会议审议通过，尚需提交公司股东大会审议。
八、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
九、 前瞻性陈述的风险声明
√适用 □不适用

本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。
十、 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况
否
十一、 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况
否
十二、 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性
否
十三、 其他
□适用 √不适用

目录

第一节 释义 ...... 5
第二节 公司简介和主要财务指标...... 7
第三节 管理层讨论与分析...... 13
第四节 公司治理 ...... 46
第五节 环境、社会责任和其他公司治理...... 60
第六节 重要事项 ...... 65
第七节 股份变动及股东情况...... 91
第八节 优先股相关情况 ...... 101
第九节 债券相关情况 ...... 102
第十节 财务报告 ...... 103
载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管
人员）签名并盖章的财务报表
备查文件目录 载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件
经公司负责人签名的公司2023年年度报告文本原件
报告期内在指定信息披露平台上公开披露过的所有公司文件的正本及
公告的原稿

第一节 释义
一、 释义
在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义：
常用词语释义
芯导科技、公司、本公司 指 上海芯导电子科技股份有限公司
无锡芯导 指 芯导科技（无锡）有限公司，公司全资子公司
莘导企管 指 上海莘导企业管理有限公司
萃慧企管 指 上海萃慧企业管理服务中心（有限合伙）
中国证监会、证监会 指 中国证券监督管理委员会
上交所 指 上海证券交易所
《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》
《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》
《公司章程》 指 《上海芯导电子科技股份有限公司章程》
报告期、本报告期、本年度 指 2023 年 1 月 1 日-2023 年 12 月 31 日
报告期末、本报告期末 指 2023 年 12 月 31 日
元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元
半导体产品 指 广义的半导体、电子元器件产品，包括集成电路芯
片和其他电子元器件产品。
集成电路、IC 指 Integrated Circuit 即集成电路，是采用半导体制
作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体
管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或
遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。
功率半导体 指 对功率进行变频、变压、变流、功率放大及管理的
半导体器件。
芯片 指 集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、
封装、测试后的结果。
TVS 指 Transient Voltage Suppresser，即瞬态电压抑制
器，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件。它
具有极快的响应时间（亚纳秒级）和相当高的浪涌
吸收能力，可用于保护设备或电路免受静电、电感
性负载切换时产生的瞬变电压，以及感应雷所产生
的过电压。
MOSFET 指 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor，即金属氧化物半导体场效应晶体管，
简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模
拟 电 路 与 数 字 电 路 的 场 效 晶 体 管 （ Field-
effecttransistor），依照其“通道”的极性不同，
可分为 N-type 与 P-type 的 MOSFET。
GaN HEMT 指 GaN(氮化镓) HEMT 即 High Electron Mobility
Transistor(高电子迁移率晶体管) 是一种用于新
一代功率元器件的化合物第三代半导体材料。与普
通的半导体材料硅相比，具有更优异的物理性能。
肖特基二极管 指 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极
管（简称 SBD），在通信电源、变频器等中比较常见。
是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管
芯片，具有反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），
正向导通压降更低（仅 0.4V 左右）的特点。
ESD 指 静电保护二极管，是用来避免电子设备中的敏感电

路受到静电放电影响的器件。
TMBS 指 Trench MOS Barrier Schottky Diode，沟槽 MOS 型
肖特基势垒二极管。
DC-DC 指 在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电压
值的电能的转换电路，也称为直流转换电源。
IDM 指 Integrated Design and Manufacture，垂直整合制
造模式。
Fabless 指 无晶圆厂集成电路设计企业，只从事集成电路研发
和销售，而将晶圆制造、封装和测试环节分别委托
给专业厂商完成；也代指此种商业模式。
晶圆 指 硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状
为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各
种电路元件结构，而成为有特定电性功能之 IC 产