华虹公司(688347):H1营收稳健增长,持续推进12英寸产能扩张

事件:公司发布2023年半年度报告,2023年H1公司实现营收88.44亿元,同比增长11.52％;归母净利润15.89亿元,同比增长32.07％;扣非净利润14.14亿元,同比增长26.34％。分季度看,2023年Q2实现营收44.70亿元,同比增长8.41％,环比增长2.18％;归母净利润5.44亿元,同比下降3.00％,环比下降47.86％;扣非净利润4.13亿元,同比下降21.60％,环比下降58.77％。

   营收实现稳健增长,产能利用率维持较高水平:2023年上半年,全球及地区经济恢复缓慢,消费类市场持续低迷,上游晶圆代工产业遭遇较大挑战。得益于公司产品组合优化以及客户长期支持,公司营收保持稳健增长。上半年公司产能利用率保持较高水平,嵌入式闪存工艺平台、功率半导体销售额保持同比双位数增长。2023年H1公司毛利率为34.26％,同比+2.44pcts;净利率为11.45％,同比-1.12pcts。2023年Q2毛利率为32.69％,环比-3.17pcts;净利率为1.02％,环比-21.07pcts。费用方面,2023年H1公司销售、管理、财务、其他费用率分别为0.40％/3.95％/7.59％/6.16％,同比变动分别为-0.17/-0.01/0.38/1.58pcts,23年H1财务费用为5.45亿元,同比增长49.88％,主要原因是利息支出增加。

   技术创新研发奠定成长基础,客户产品需求旺盛:公司在特色工艺技术方面持续创新,自主研发形成了由嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频组成的特色工艺平台,在多个领域达到领先水平。

   在嵌入式非易失性存储器技术平台方面,公司自主研发的NORD-Flash单元以及相关低功耗及超低漏电嵌入式闪存工艺平台,获得众多客户认可,并选择该平台进行产品流片及量产,为客户产品在消费电子、通讯、工业控制、智慧医疗和智能卡等领域的应用提供了优势芯片制造平台。功率器件工艺平台方面,公司通过优化迭代自研IGBT技术,使得公司功率器件具备大电流、小尺寸、高可靠性等优势,可应用于新能源汽车逆变器、光伏等领域。同时公司基于深沟槽式超级结MOSFET技术,已为客户提供了应用于数据中心电源、车载充电机等高端芯片制造平台。公司工艺和技术性能获得市场认可,客户产品需求旺盛,已全部实现平台量产。

   积极扩充12英寸产线产能,打开未来成长空间:公司坚持"8英寸+12英寸"发展战略,在不断提升技术实力的同时扩大产能。根据公司半年报,无锡一期12英寸厂(七厂)在23年上半年运行顺利,产能利用率保持高位运行,预计23年底完成94.5K产能建设;无锡二期项目(九厂)于23年6月30日举行开工仪式,规划月产能8.3万片,工艺节点覆盖65nm到40nm先进特色IC和高端功率器件,应用领域聚焦12英寸车规级工艺制造平台。公司积极扩充12英寸产线产能,有望助力公司营收规模进一步提升。

   首次覆盖,给予"增持"评级:公司在半导体制造领域拥有超过20年的技术积累,逐步形成了先进的"特色IC+功率器件"产品布局,自主研发嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理等特色工艺平台。在功率器件领域,公司同时具备8英寸以及12英寸功率器件代工能力,拥有全球领先的深沟槽式超级结MOSFET以及IGBT技术;在模拟与电源管理领域,公司已成为全球领先的模拟与电源管理工艺技术提供商。随着华虹无锡项目产能持续爬坡,未来进一步的资本投入将大幅提升12英寸生产线的产能,及基于90-55纳米节点各项工艺平台代工的产品组合丰富度,公司有望持续提升核心竞争力,打开长期成长空间。预计公司2023-2025年归母净利润分别为20.72亿元、28.33亿元、39.22亿元,EPS分别为1.21元、1.65元、2.29元,PE分别为41X、30X、22X。

   风险提示:行业景气度不及预期;下游市场复苏不及预期;国际贸易摩擦风险;行业竞争加剧风险。