东微半导(688261):业绩高增,新品放量促成长-2022年报点评

受益于新能源等高景气赛道,营收和利润同比高增。2022年公司实现营业收入11.16亿元,同比增长42.74公司聚焦于光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、服务器电源等高景气赛道,汽车及工业级营收占比约为80％充分受益于功率半导体结构性需求分化红利,进而实现营收的持续快速增长,分业务类型来看高压超级结MOSFET中低压屏蔽栅MOSFETTrigateIGBT超级硅MOSFET分别实现营收9.14/1.56/0.45/0.02亿元,高压超级结MOSFET和TrigateIGBT同比增长率分别为60.77％和685.21％685.21％,同时SiC器件(含Si2CMOSFET在22年首次实现营业收入2022年公司实现归母净利润2.84亿元,同比增长93.57实现扣非归母净利润2.68亿元,同比增长90.59公司利润增速明显高于营收增速。

   盈利能力显著提升。2022年公司毛利率为33.96％％,同比增长5.24pct净利率为25.47％％,同比增长6.69pct公司持续进行技术迭代和产品组合结构的调整,同时22年存在产品涨价的情况,综合因素促进公司盈利能力水平的提升。从费用端来看2022年公司期间费用率为0.38同比下降了1.76pct具体来看,财务费用率由于利息收入影响下降1.71pct,管理费用率和销售费用率相对稳定2022年研发费用率为4.92％％,研发费用达到0.55亿元,同比增长32.57公司积极推进主营产品的技术迭代升级,优化8英寸与12英寸芯片代工平台的产品布局,取得较好成效,同时进一步加大第三代半导体、第四代半导体材料等前瞻性研发投入,取得突破性进展。

   技术迭代筑造护城河。Si基器件方面,在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT产品领域积极进行新一代技术开发,有序推进产品从8英寸转12英寸的工艺平台拓展工作,目前进展顺利。在TGBT产品领域,加强对自有知识产权TrigateIGBT技术研发力度,产品顺利通过多个客户验证并被批量使用,迅速实现了高性能IGBT产品的国产化替代。公司第二代TrigateIGBT技术开发成功并量产,产品性能进一步提升,第三代TrigateIGBT开发顺利。在SiC器件方面,公司积极布局第三代功率半导体产品,SiC研发项目稳步推进。

   22年公司开发出Si2CMOSFET产品可以实现对部分采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代,已经通过客户的验证并小批量供货。

   【投资建议】

   依据下游市场需求变化情况以及公司产品放量节奏我们预计公司2023/2024/2025年的营业收入分别为16.0021.13/27.34亿元,预计20232024/2025年归母净利润分别为3.945.20/6.39亿元,EPS分别为5.857.729.49元,对应PE分别为372823倍,给予增持"评级。

   【风险提示】

   下游需求不及预期

   新品导入节奏不及预期

   竞争加剧影响整体盈利能力。